——IX4341与IX4342双5安培低压侧器,专为高频应用精心打造。这两款新品进一步丰富了Littelfuse的IX434x系列,通过新增的同相与反相逻辑输入版本,实现了对系列产品的全面升级与补充。
IX434x系列现已涵盖双路同相、双路反相以及混合同相与反相输入的多样化配置,为工程师们提供了前所未有的灵活性与广泛选择。无论是追求高效能驱动解决方案,还是寻求定制化配置以适应特定应用场景,IX434x系列都能满足最严苛的需求。这一创新举措再次彰显了Littelfuse在MOSFET栅极驱动技术领域的领导地位与持续创新力。
的功率损耗分析 /
性能方面扮演着至关重要的角色,特别是在应对电气化系统日益增长的需求时。随着全球对电力在工业、交通和消费产品中依赖性的加深,SiC技术凭借其
的功耗计算 /
可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司荣幸地宣布推出IX4341和IX4342双5安培低压侧
的选择标准 /
(Gate Driver)是一种电路,其主要功能在于增强场效应晶体管(
:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC
GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势,为电力电子产业带来了革命性的变化。然而,GaN技术的快速发展有时超出了专门为GaN设计的
GaN FETs /
的演变(IGBT/SiC/GaN) /
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