7月2日，英飞凌在官网宣布，其基于12英寸晶圆的可扩展氮化镓制造技术进展顺利，首批样品将于2025 年第四季度向客户提供。

　　据了解，英飞凌已能在现有大批量制造基础设施内成功开发12英寸氮化镓功率晶圆技术。英飞凌表示，他们已做好准备，将扩大客户群，进而巩固其市场地位。

　　据“行家说三代半”此前报道，2024年9月，英飞凌正式发布首款12英寸氮化镓晶圆，具体是在奥地利Villach功率工厂中，成功利用现有的12英寸的硅基半导体生产线，在一条集成试验线英寸晶圆相比，单片晶圆可容纳 2.3 倍的芯片。

　　英飞凌GaN业务线负责人Johannes Schoiswohl表示：“英飞凌全面扩展的12英寸氮化镓制造能力将使我们能够更快地为客户提供最高价值，同时逐步实现同类硅和氮化镓产品的成本平价。”

　　据调研发现，目前6英寸仍是氮化镓晶圆厂的主流规格，仅有英诺赛科等少数企业实现了8英寸氮化镓晶圆制造，生产8-12英寸硅基氮化镓晶圆的难点主要为外延缓冲层设计，为了更好地解决晶格失配、热失配和应力问题，通常需要在衬底上沉积很厚的缓冲层，这大大提高了高良率生产的难度和效率。

　　不过，此前英飞凌已经实现了超薄12英寸硅功率晶圆的突破性进展，厚度为20μm，仅有头发丝的四分之一，是目前最先进的40-60μm晶圆厚度的一半。尽管该技术是应用于硅晶圆，但有很大可能会导入到氮化镓晶圆生产。

　　值得关注的是，除了英飞凌外，国内外还有9家厂商也实现了12英寸GaN技术突破：

　　2024年10月，德州仪器透露年初成功开展在12 英寸晶圆上开发GaN制造工艺的试点项目。此外，德州仪器扩展后的GaN制造工艺可全面转为采用12英寸技术，使公司可根据客户需求迅速扩展规模并为未来转为12英寸技术做好准备。

　　2021年6月，英特尔展示了其首款氮化镓稳压器，该稳压器最独特之处在于采用了5项技术，将GaN功率和GaN射频晶体管，与硅PMOS的整合成一个片上系统，既可以实现高频操作，又可以实现高功率密度。而且该器件是基于12英寸硅晶圆，具有成本优势。

　　2024年12月，英特尔展示了业界首款在12 英寸GaN-on-TRSOI工程衬底上制造的高性能、微缩增强型GaN MOSHEMT晶体管，有效电阻率比典型的GaN-on-(HR)硅高出约4倍。

　　2024年7月，云镓半导体发布650V/12mΩ超大电流芯片，基于12英寸氮化镓晶圆生产，实现了行业领先的12mΩ超低导通电阻，测试良率90%。

　　2024年9月，信越化学株式会社宣布，他们推出了300 毫米（12 英寸）QST™ 衬底，这是一种专用于 GaN 的生长衬底，最近开始供应样品。

　　据悉，信越化学已经在150毫米和200毫米的QST™衬底设备上进行了增强，并计划未来进行300毫米QST™衬底的量产化。

　　2025年3月，晶盛机电全资子公司SuperSiC浙江晶瑞首次公开展示半导体级12英寸蓝宝石晶锭/衬底等战略级新品，其将积极携手上下游产业链，拓展半导体级蓝宝石衬底的应用边界。

　　2023年，天通银厦透露，他们采用自主研发的核心装备生长出超大尺寸蓝宝石晶体，具备了加工成大尺寸8英寸至12英寸蓝宝石衬底的量产能力，满足了半导体产业等领域对大尺寸蓝宝石产品的需求。

　　2022年11月，日本Orbray株式会社宣布已开始试销12英寸蓝宝石基板，其可作为12英寸半导体制造工艺的载体晶圆。

　　2021年9月，晶湛半导体向公众展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片，为采用主流的12英寸CMOS生产线制造GaN HEMT晶体管铺平了道路。

　　据介绍，早在2014年晶湛就推出商用的8英寸硅基GaN高压HEMT外延片；他们将其AlGaN/GaN HEMT外延工艺转移到12英寸硅衬底，同样保持了出色的厚度均匀性和50μm以内的低晶圆翘曲。

　　IV Works是一家韩国氮化镓外延企业，成立于2011 年。该公司是韩国第一家实现8英寸硅基GaN外延片和6英寸碳化硅基GaN外延片的晶圆厂，并且有消息称，他们已在韩国首次建设了12英寸氮化镓生产设施。

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